[12p-A201-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[12p-A201-7] 異なる熱伝導率を有する複数の断熱材を用いたRF-TSSG法によるSiC結晶成長時の温度場制御

〇岡野 泰則¹、竹原 悠人¹、ワン レイ¹、関本 敦¹、宇治原 徹² (1.阪大院基礎工、2.名大院工)

キーワード：数値計算、SiC、TSSG法

RF-TSSG法は高品質なSiC結晶の成長法として期待されている。演者らは以前数値解析により、本法では地上であるにもかかわらずマランゴニ対流が優勢であることを指摘した。さらにマランゴニ対流を抑制しうるるつぼ周囲の温度分布を逆解析により算出することに成功した。今回は逆解析で算出したるつぼ周囲温度分布の実現を目指し、断熱材の熱伝導率に着目した解析を行った。