[12p-A205-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12p-A205-6] 極低温領域におけるCHF3ガス凝縮層を用いたエッチングプロセスの研究

〇羽澄 匡広¹、スガンサマラー セルヴァラジ²、蕭 世男²、関根 誠²、林 久貴^3,2、佐々木 俊行³、阿部 知央³、堤 隆嘉²、石川 健治²、堀 勝² (1.名大院工、2.名大 低温プラズマ科学研究センター、3.キオクシア(株))

キーワード：サイクルエッチング、極低温エッチング、シリコン酸化膜

3次元型半導体デバイスのプラズマエッチングにおいては、従来よりも高アスペクト比な加工技術が要求されている。そこで我々は極低温領域におけるCHF3ガス凝縮層を用いたエッチングプロセスを考案した。実験の結果、極低温領域における凝縮層の形成による効果から、SiO2平坦膜において高いエッチング速度が得られた。本講演では、エッチング速度の温度依存性とCHF3ガス導入時間依存性から、そのメカニズムを議論する。