[12p-A403-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[12p-A403-10] MoO_x CSC/Si太陽電池のPDAによる特性変動 (3)
－表面反転層をﾁｬﾈﾙとするFET-TEGのS/Dｺﾝﾀﾞｸﾀﾝｽによる評価(1)－

〇林 豊¹、神岡 武文^2,1、後藤 和泰³、尾崎 亮¹、中村 京太郎¹、森村 元勇¹、宇佐美 徳隆³、大下 祥雄¹、小椋 厚志² (1.豊田工大、2.明治大、3.名古屋大)

キーワード：太陽電池、キャリア・セレクティブ・コンタクト　太陽電池、MoOx/n-cSi太陽電池

表面反転層とCSC材料との接触抵抗を反映する電界効果トランジスタテストエレメントグループ（FET-TEG）を小面積セルと集積し、そのソース/ドレイン間ラテラルコンダクタンスσ_sdの熱処理（PDA）による変化と小面積（2cm角）セルのI–V特性のPDAによる変化との対応を示す実験結果を報告する。