2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2020年3月12日(木) 13:15 〜 17:30 B401 (2-401)

加藤 正史(名工大)

14:30 〜 14:45

[12p-B401-6] GaN の光電気化学(PEC)エッチングが有する可能性
③加熱によるエッチング速度の向上

堀切 文正1、福原 昇1、太田 博2、浅井 直美2、成田 好伸1、吉田 丈洋1、三島 友義2、渡久地 政周3、三輪 和希3、大神 洸貴3、佐藤 威友3 (1.サイオクス、2.法政大、3.北大)

キーワード:窒化ガリウム、光電気化学、エッチング

GaN は光電気化学(PEC)エッチングにより、低損傷なエッチングができる。また、電解液に酸化剤を混ぜる事で、シンプルなコンタクトレスPEC エッチングが可能である。本報告では、酸化剤であるペルオキソ二硫酸カリウム(K2S2O8)から、熱により硫酸イオンラジカルを生成する事で、酸化剤濃度を増加させてエッチング速度の大幅な向上させる事に成功したので、その結果について報告する。