[12p-B408-1~10] 1.5 計測技術・計測標準

[12p-B408-3] 拡張金属ゲート電極にホスト分子を修飾したISFETの温度センサへの応用

〇(M1)石川 潤¹、田中 貴久²、内田 建² (1.慶大工、2.東大工)

キーワード：温度計、ISFET、イオンセンサ

溶液に接するゲート表面の電位から，溶液のイオン濃度をモニタリングできる半導体センサはISFETとして知られる．一方で，ホスト－ゲスト系の結合定数は温度の関数になるため，ISFETのゲート表面にホスト分子を修飾することで，ゲスト分子を含む溶液の温度を推測できると考えられる．今回は，ISFETの拡張金属ゲート表面に，ホストとしてクラウンエーテルの自己組織化単分子膜を修飾した構造を，温度センサに応用する検討を行った．