[12p-B410-1~16] 3.7 レーザープロセシング

△ [12p-B410-15] 各種半導体の中赤外FEL照射による微細LIPSS形成条件～微細LIPSS形成閾値と融解閾値～

〇(M1C)田中 陽平¹、細川 誓¹、橋田 昌樹^1,2、全 炳俊³、長島 健⁴、尾崎 典雅⁵、井上 峻介^1,2、阪部 周二^1,2 (1.京大理物、2.京大化研、3.京大エネ研、4.摂南大理工、5.阪大工)

キーワード：レーザー誘起周期構造、中赤外自由電子レーザー、半導体

レーザー照射により固体表面に形成される周期的微細構造（LIPSS）の形成機構解明には過程のその場観察が有効であるが、微細LIPSSの周期間隔は波長の1/10程度であるため可視光レーザー形成LIPSSの観察は困難である。そこで、中赤外自由電子レーザー（FEL）形成LIPSSによる過程観察実験を提案計画した。今回は、そのための予備実験として半導体を対象とした中赤外FEL照射によるLIPSSの形成条件を調べた。