[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-1] [講演奨励賞受賞記念講演] X線その場観察法を用いたGaAsSb/GaAs(001)の格子緩和初期における異方性評価

〇久保 幸士朗¹、野川 翔太¹、河野 将大¹、佐々木 拓生²、高橋 正光²、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工、2.量研)

キーワード：その場観察、GaAsSb、格子緩和

多接合太陽電池では格子不整合材料の積層が行われるが、歪み緩和に起因した貫通転位の活性層への伝搬が問題となっている。転位低減のためには歪み緩和のメカニズムの理解が重要である。そこで我々は格子緩和初期に発生するBragg回折ピーク近傍のサテライトピークに注目し、GaAs(001)基板上へのGaAsSb作製時に放射光X線を用いて3次元逆格子マッピングでその場観察することにより、緩和過程初期における転位挙動の異方性を評価した。