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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2020年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 D215 (11-215)

海津利行(神戸大)、舘林潤(阪大)、中尾亮(NTT)

15:15 〜 15:30

△ [12p-D215-5] 疑似単結晶GaAs膜のガラス上合成と高分光感度の実証

〇西田竹志¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大)

キーワード：分子線エピタキシー法、Al誘起成長法、GaAs