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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2020年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 D215 (11-215)

海津利行(神戸大)、舘林潤(阪大)、中尾亮(NTT)

16:00 〜 16:15

[12p-D215-8] InGaAs/GaAs量子ドットの高体積密度化によるレーザ特性向上

〇角田雅弘¹、權晋寛¹、渡邉克之¹、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

キーワード：分子線エピタキシー