[12p-D311-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12p-D311-5] ボトムゲート構造を有する白金ナノギャップ電極

〇(M1)猪ヶ倉 大晟¹、ファン チョン　トゥエ¹、真島 豊¹ (1.東工大フロンティア研)

キーワード：量子デバイス、ボトムゲート、high-K

本研究では、分子のエネルギーレベルを効果的に変調できる大きなゲート容量（Cg）を得ることを目的に、High-k誘電体をゲート絶縁体として用いたボトムゲート構造の作製を行った。その内容について報告する。