[12p-D419-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-D419-11] GaS 原料を用いた Ga₂O₃系混晶の PLD 成長

〇青山 航平¹、斉藤 拓海¹、亀井 海聖¹、高橋 瑞人²、相馬 拓人¹、加渡 幹尚³、大友 明^1,4 (1.東工大物質理工学院、2.アジア物性材料、3.トヨタ自動車、4.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、硫化ガリウム、PLD

Ga₂O₃ 系半導体は，デバイス性能とコストの観点から有望なパワー半導体材料として期待されている．我々は，β-Ga₂O₃の p 型伝導実現に向けて窒素ドープを検討してきた．一方で，酸素サイトの窒素は，極めて深い準位を形成しホールキャリアの活性化は困難であると予想されている．そこで本研究では，酸素の一部を硫黄で置換することでホールキャリアを活性化することを目標とし，GaS 固体原料を用いた PLD による薄膜成長に取り組んだ．