[12p-PA3-1~33] 11 超伝導

[12p-PA3-30] 超伝導量子回路応用のための原子層堆積法による窒化チタン薄膜の評価と最適化Ⅱ

〇牧瀬 圭正¹、藤井 剛¹、浮辺 雅宏¹ (1.産総研)

キーワード：超伝導デバイス、原子層堆積法

我々は超伝導共振器や超伝導量子ビット等の量子回路への応用の一つとして、原子層堆積法（ALD）によって高品質な窒化チタン(TiN)薄膜をTSV(through-silicon via)基板等の3次元的な構造体に成膜し、3次元実装技術と組み合わせた超伝導量子ビットの集積化の要素技術の開発を行っている。今回、TSV基板上にALD-TiN膜の均質性と結晶性を評価するために超伝導特性を有するTiN膜の成膜条件でTSV基板に成膜し、断面観察による膜の構造解析や元素分析を行った。