[12p-PA3-1~33] 11 超伝導

[12p-PA3-6] 3D-TDGLシミュレーションを用いたJ_c非対称性の検討

〇一野 祐亮¹、張 雪原¹、土屋 雄司¹、吉田 隆¹ (1.名大工)

キーワード：Jc非対称性、シミュレーション

我々はこれまで、2D-TDGLシミュレーションコードを開発し、非対称な形状を持ったピンニングセンターにおける量子化磁束の挙動について報告してきた。また、3D-TDGLシミュレーションコードを開発し、ナノロッドによる磁束量子の運動や縦磁場下における磁束量子の運動について検討を行ってきた。最近、縦磁場配置で磁場を印加したREBCO薄膜において、電流方向に対する臨界電流密度(Jc)の非対称性が実験的に確認され、これを用いた超伝導ダイオードの検討を行っている。本研究では、REBCO薄膜におけるJc非対称性の発現機構の解明とより大きな非対称性の実現を目的として、3D-TDGLを用いて試料表面形状やピンニングセンターがJc非対称性に与える影響について検討した。