[12p-PA5-1~34] 12.4 有機EL・トランジスタ

[12p-PA5-29] κ-HgBr薄膜を用いた電界効果トランジスタ

〇(D)相澤 洋紀¹、川口 玄太²、山本 浩史² (1.総研大、2.分子研)

キーワード：有機超伝導、有機トランジスタ、有機モット絶縁体

当研究室では、バンドフィリングが0.5のκ-(BEDT-TTF)_２Cu[N(CN)₂]Brやκ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS) ₂を用いた電界効果トランジスタ(FET)の作製し、ゲート電界によるキャリアドーピングを用いることで、金属/超伝導への相転移に成功している。今回、約4.3 Kで超伝導相転移し、バンドフィリング（0.45）を有しているκ-(BEDT-TTF) ₄Hg_2.89Br₈（κ-HgBr）という分子に着目した。κ-HgBrを用いたFETの作製をし、このキャリアドープがFET特性にどのように影響を与えるか取り組んだのでその結果を報告する。