[13a-A302-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13a-A302-6] 横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発

〇小松 天太¹、彦坂 年輝²、布上 真也²、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.（株）東芝)

キーワード：光導波路、波長変換デバイス、窒化物半導体

GaNは高い光損傷耐性および電気光学効果を有するため、連続変数量子計算を実装するために必要な光パラメトリック増幅器や電界印加型マハツェンダ干渉計を同一基板上に作製できる。将来的に縮退パラメトリック下方変換により発生した800 nm 帯域のスクイーズド光を利用することを想定し、本研究ではその逆過程である400 nm帯域の第二高調波発生を実証するためのGaN導波路型波長変換素子の開発を行った。