[13a-A409-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

[13a-A409-6] 蓄積電荷測定法による金属/フタロシアニン界面の電荷注入障壁測定

〇(M1C)下元 純¹、田島 裕之¹、小簔 剛¹、谷村 利精¹、大村 祐一¹、角屋 智史¹、前中 一介²、横松 得滋² (1.兵県大物質理、2.兵県大工)

キーワード：有機半導体、電荷注入障壁、蓄積電荷測定法

有機半導体デバイスにおける金属/有機半導体界面の電荷注入障壁はデバイスの駆動電圧などのデバイス特性を決定する重要なパラメータであり、蓄積電荷測定(ACM)法は、実デバイス上のこのパラメータを直接決定する有力な手法である。これまで、正孔注入障壁について我々は報告してきたが、本研究では、ACM法の拡張を目指して、metal free phtalocyanine (H₂Pc)/ Pdの電子注入障壁の測定を試みた。