[13a-D221-1~12] 6.4 薄膜新材料

[13a-D221-1] プラズマ励起アンモニアを用いた低温原子層堆積の表面反応評価

〇(M2)齋藤 健太郎¹、吉田 一樹¹、鹿又 健作²、三浦 正範²、有馬 ボシールアハンマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工、2.山形大 ROEL)

キーワード：原子層堆積法、窒化アルミニウム

窒化アルミニウム(AlN)は、6.3 eVのバンドギャップを持つ直接遷移型半導体である。そのため、UV-LEDへの応用が期待される。従来のAlN薄膜の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法等である。これらは通常300 ℃以上の高温で行われる。AlN薄膜をフレキシブルデバイスに応用するために、100 ℃程度まで低温化が必要である。我々はtrimethylalminiumを原料ガスに、プラズマ励起NH₃を窒化ガスに用いた低温AlN-ALDを実現するために、多重内部反射赤外吸収法での表面反応のその場観察を行った。