[13a-D305-1~10] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[13a-D305-2] InP(111)B基板上のAlInAsナノワイヤ選択成長

〇(B)田井 良樹²、赤松 知弥¹、蒲生 浩憲¹、本久 順一^1,2、冨岡 克広^1,2 (1.北大量集センター、2.北大工)

キーワード：ナノワイヤ、MOVPE、III-V族化合物半導体

ナノワイヤ構造は、ナノスケールの微細な断面を有し、格子不整合による臨界膜厚をプレーナ成長よりも厚くできるため、多様な材料系の組み合わせで、バンドエンジニアリングが可能になる。本研究では、この利点を応用することで、多様な組成比からなるInGaAs/AlInAsナノワイヤ超格子構造の共鳴トンネルトランジスタ素子の実現を目的としている。ナノワイヤ超格子構造のうち、AlInAsナノワイヤ選択成長について、縦方向と横方向の成長モードの制御性が明らかにされていないため、InP(111)B基板上のAlInAsナノワイヤの選択成長について検討した。
当日は、異なるAl組成によるAlInAs選択成長の形状変化や、気相中と固相中のAl組成の関係について議論する。