[13p-A202-1~17] 13.9 化合物太陽電池

[13p-A202-3] HVPE法を用いた2接合セルのEL発光による開放電圧解析

〇大島 隆治¹、相原 健人¹、太野垣 健¹、庄司 靖¹、牧田 紀久夫¹、生方 映徳²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：III-V族化合物半導体、太陽電池、ハイドライド気相成長法

我々は、III-V族多接合セルの低コスト化を目指したHVPE法を用いたセル開発を進めている。これまでに、変換効率21.8%のInGaP/GaAs 2接合セルを開発した。今回、2接合セルのサブセルの開放電圧(Voc)をEL発光特性により解析した。EL発光特性、外部量子効率スペクトル、およびI-V測定から得られた短絡電流密度11.3 mA/cm²を用いると、InGaP、GaAsサブセルのVocはそれぞれ1.34 V、0.98 Vと求めることができ、各単接合セルと同等の性能が得られていることが分かった。