[13p-A405-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[13p-A405-4] 高分子薄膜表面と底面のFET移動度および状態密度分布

〇中野 恭兵¹、加地 由美子¹、但馬 敬介¹ (1.理研 CEMS)

キーワード：高分子、光電子収量分光、電界効果トランジスタ

本研究では、大気中光電子収量分光を用いて高分子薄膜 [ポリ(3-ヘキシルチオフェン)]の表面と底面の状態密度分布を評価し、移動度との相関を調べた。SiO₂/BCB絶縁膜を用いて評価したFET移動度は、薄膜表面で0.11 cm²/Vs、底面で4.6×10⁻³ cm²/Vsと20倍以上の差があった。それぞれの状態密度分布のガウシアンの幅σは0.16 eV、0.23 eVであり、薄膜底面で状態密度の分布がより広がっていることが確認された。