[13p-A405-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[13p-A405-9] In/Si(111) 表面上の金属フタロシアニン超薄膜の成長と電子物性

〇八田 振一郎¹、松原 燦¹、奥山 弘¹、有賀 哲也¹ (1.京大院理)

キーワード：有機薄膜、金属フタロシアニン、界面電子状態

インジウム（In）はSi(111)基板上で二次元金属を形成する。その上に金属フタロシアニン（MPc: FePc, CoPc, CuPc）の超薄膜をMBE法により成長させた。MPcは基板と整合した同じ二次元結晶を形成する一方、電子状態はそれぞれ異なる変化を示すことが分かった。FePcとCoPcでは3d（eg）軌道が高エネルギー側へシフトし、Inとの結合に重要な役割を担うことが分かった。