[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-5] ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga₂O₃薄膜成長と電気的特性評価

〇(M1)伊藤 雄祐¹、藤原 悠希¹、西中 浩之¹、田原 大祐¹、島添 和樹¹、新田 悠汰¹、野田 実¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、電気的特性

酸化ガリウム(Ga2O3, Eg = 約5 eV)は超ワイドバンドギャップ半導体として知られており、5つの結晶構造(α, β, γ, δ, ε)を持つ結晶多形である。本研究グループでは、直方晶構造を有する準安定相ε-Ga2O3に注目しており、理論計算から予測されている大きな自発分極や実験によって明らかにされている強誘電体特性を生かした独自のパワーデバイスへの応用に向けた検討を進めている。本発表では、コランダム構造の酸化インジウムスズ(rh-ITO)をε-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長用層および下地電極とする新しい積層構造を提案し、ε-Ga2O3の結晶学的特性及び電気的特性を評価した。