[13p-PA10-1~21] 13.8 光物性・発光デバイス

[13p-PA10-3] 低温成長InGaN/AlGaN量子井戸のIn取り込みおよび発光特性

〇(M2)趙 康麟¹、沈 昊哉¹、小沼 賢二郎²、ヤンワチラークン ワラーコン²、杉山 正和² (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：半導体、発光デバイス

LEDの長波長・広帯域発光への応用が期待できる低温成長InGaN/AlGaN量子井戸に関して、AlGaN層のAl組成に伴うIn取り込みの変化と、それに起因する発光特性の変化を検討した。その結果、低温成長するAlGaNのAl組成が0.34を超えると格子緩和によると思われる表面凹凸化が起こり、それに伴い上層のInGaNへのIn取り込みが増え、発光が長波長かつ広帯域化することが明らかになった。