[13p-PA10-1~21] 13.8 光物性・発光デバイス

[13p-PA10-4] 赤色発光InGaN/GaN SQWにおけるトレンチ欠陥の構造および発光評価

〇丹下 貴志¹、松方 妙子¹、三宮 工¹ (1.東工大物質理工)

キーワード：窒化物半導体、結晶欠陥、カソードルミネッセンス

InGaN系化合物半導体光デバイスは、LEDやLDへの応用が進む中で市場からは更なる高効率化が要求されている。一方で、この系はIn組成の増加に伴い発光強度が低下することが知られているが、これはGaNとInNの大きな非混和性とIn組成ゆらぎの増大が一因になっていると考えられている。今回、我々は、LDデバイスに主に用いられるGaN基板上にInGaN/GaN単一量子井戸構造(SQW)を作製し、高In組成領域で発生する特徴的な結晶欠陥の発生に着目した。本報告ではIn組成濃度による構造変化も踏まえ、結晶欠陥のローカルな発光特性の特徴、および発生メカニズムについて報告する。