[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-8] Dot-in-a-Well構造におけるInAs量子ドット成長に対するIn偏析の影響(Ⅱ)

〇岡田 直樹¹、生野 大吾¹、王 涛¹、大島 仁¹、尾崎 信彦¹ (1.和歌山大シス工)

キーワード：MBE、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体、エピタキシャル成長