[13p-PA8-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

[13p-PA8-19] 放電周波数の制御によるp型ホウ素ドープシリコン添加アモルファスカーボン/n-Si ヘテロ接合太陽電池の高性能化

〇楢木野 宏¹、近藤 文太²、本多 謙介¹ (1.山口大院創成、2.山口大理)

キーワード：アモルファスカーボン、ヘテロ接合、太陽電池

光学ギャップ可変(1.25-2.76 eV)な半導体であるp型ホウ素ドープSi添加アモルファスカーボン(a-Si_xC_1-x)半導体薄膜とn-Si基板から成るヘテロ接合太陽電池をプラズマCVDにより作製した．成膜時の放電周波数の増加に伴い，太陽電池の変換効率は大きく増加した．