[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-1] RF-MBE法によるScAlMgO₄基板上へのGaNエピタキシャル成長

〇栢本 聖也¹、藤井 高志^1,2、福田 承生²、白石 裕児²、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大学、2.（株）福田結晶研)

キーワード：窒化ガリウム、ScAlMgO4、RF-MBE法

ScAlMgO4（SAM）はGaNとミスマッチ1.8%で熱膨張係数差も小さく、さらに無転位SAM結晶が得られたことから、転位の低減が期待される基板であるが、MOCVD法などの高温環境下ではSAM表面が荒れることが報告されている。本研究では、高真空下で低温成長が可能なRF-MBE法を用いて、有転位SAM基板上にGaN薄膜を成長し、成長条件最適化を行った。成長温度650℃の低温条件下でガリウムと窒素の同時供給により、SAM基板上GaN膜の成長を確認した。