[14a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [14a-A202-5] Si 基板上 B20 型 CoSi 薄膜の電子状態と熱電特性の関係

〇石部 貴史¹、雛川 貴弘¹、坂根 駿也¹、佐藤 和則¹、小林 英一²、藤田 武志³、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.高知工科大)

キーワード：熱電材料、シリサイド、電子状態

Dirac, Weyl電子系を有する材料が、その特徴的電子状態を反映して高い出力因子を示すため、有望な熱電材料として期待されている。我々は、Dirac-likeな電子系を有する、Si材料系のe-CoSiに注目した。これまで、単一結晶相のe-CoSi薄膜をSi基板上に作製することには成功したが、その電子状態と熱電特性の関係については未解明であった。本研究では、e-CoSi薄膜/Siの電子状態を分析し、熱電特性に与える影響を明らかにすることを目的とする。