[14a-A303-1~7] 13.8 光物性・発光デバイス

[14a-A303-1] 窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅

〇佐藤 真一郎^1,2、出来 真斗³、李 铄²、渡邉 浩崇³、新田 州吾³、本田 善央³、西村 智朗⁴、Gibson Brant²、Greentree Andrew²、天野 浩³、大島 武¹ (1.量研、2.RMIT大・CNBP、3.名大・未来研、4.法政大)

キーワード：窒化ガリウム、ナノ構造、フォトルミネッセンス

窒化ガリウム半導体(GaN)中の孤立したランタノイドは、室温でも狭い線幅で高輝度の発光を示すことから、単一光子源への応用が期待できる。Prイオン注入したGaN上に様々なサイズのナノピラー構造を形成し、ピラー中Pr³⁺の³P₀ → ³F₂遷移に起因する652 nm付近の発光を室温で観察したところ、ピラー構造を持たないGaN中Pr³⁺よりも高い発光強度を得た。本講演では、励起光強度依存性や発光遷移寿命と併せてそのメカニズムについて議論する。