[14a-A401-1~5] 機能性酸化物のメモリデバイス応用とその物理解明に向けて

[14a-A401-5] MONOSチャージトラップメモリの物性解明に向けた理論解析

〇白石 賢二¹ (1.名大未来研)

キーワード：Nand-flashメモリ、MONOS、第一原理計算

MONOSチャージトラップメモリはSiN膜中の欠陥に電荷の書き込み消去を行うため、必ずしも書き込み/消去前後で可逆的構造変化をすることが保証されているわけではない。我々は第一原理量子論によってSiN中のN空孔は書き込み/消去の前後で可逆的構造変化をする理想的な欠陥であることを報告する。さらに他の不揮発性メモリにおいて、書き込み/消去の前後で可逆的構造変化が保証されているかどうかについても議論する。