2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[14a-A403-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

2020年3月14日(土) 09:15 〜 11:45 A403 (6-403)

仙波 妙子(ナミックス)

10:45 〜 11:00

[14a-A403-6] 太陽電池セルの表面構造が電界に及ぼす影響

橘 泰至1、豊田 丈紫1、城内 紗千子2、原 由希子3、柴田 肇3、増田 淳3 (1.石川工試、2.新潟大、3.産総研)

キーワード:電圧誘起劣化、電界強度、ピラミッド構造

太陽電池セル表面のSiNx層内部の強電界は、電圧誘起劣化(PID)を促進させる要因と考える。そこで、セル表面がピラミッド構造、平板構造の場合において、SiNx層内部の電界強度を三次元で解析した。その結果、平板構造の場合と比較して、ピラミッド構造の凸部では電界が5.6倍になる解析結果を得た。このことは、セルの表面構造が異なることによりPIDの起こり易さが異なる可能性を示唆する。