2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」 » 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14a-A405-1~7] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2020年3月14日(土) 09:45 〜 11:45 A405 (6-405)

渡邉 孝信(早大)、馬場 寿夫(JST)

11:00 〜 11:15

[14a-A405-5] アモルファス酸化物薄膜の熱物性;(2)アモルファス(AlxGa1-x)2O3薄膜の熱伝導率

安倍 知奈実1、山下 雄一郎1,2、田中 幸美2、八木 貴志1,2、柏木 誠1、賈 軍軍3、服部 浩一郎2、竹歳 尚之1,2、岡島 敏浩4、小口 有希5、重里 有三1 (1.青学大、2.産総研、3.早大国際理工学C、4.あいちSR、5.青学大機器分析C)

キーワード:熱物性

アモルファスAl2O3薄膜の熱伝導率は原子数密度に依存するが、複合酸化物膜では組成や局所構造などの影響も受けると考えられる。そこで(AlxGa1-x)2O3薄膜において、より広範囲な熱伝導制御を目指し、組成に対する熱伝導率変化を調べた。結果、熱伝導率はAl濃度80 at.%以下ではほぼ一定、80 at.%以上では他に比べ低い値となった。さらに、フォノンの平均自由行程とGa-O結合距離が異なることから、従来知見とは異なる可能性が示唆された。