[14a-A407-1~8] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[14a-A407-8] [講演奨励賞受賞記念講演] 変位型相変化に伴うMnTe薄膜の電気的および光学的スイッチング

〇森 竣祐¹、安藤 大輔¹、須藤 祐司¹ (1.東北大工)

キーワード：MnTe、相変化、メモリ

MnTe薄膜はα相とβ相間の多形変化に伴い、電気的および光学的特性が大きく変化する。近年、融解を必要としないMnTe層の多形変化を利用することで、極めて低動作エネルギーで高速なメモリ特性を実現できることが分かった。本研究では、メモリデバイスにおけるMnTe薄膜の、多形変化メカニズムを明らかにすることを試みた。