[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-11] 選択的p型GaN形成に向けた活性化アニールの検討

〇渡邉 健太¹、井口 紘子²、白石 舞翔³、宮崎 泰成³、和田 竜垂³、大森 雅登³、大川 峰司¹、長里 喜隆¹ (1.トヨタ自動車(株)、2.(株)豊田中研、3.大分大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、イオン注入