[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-2] GaN結晶の輻射量子効率に対して炭素不純物および非輻射再結合中心が及ぼす影響

〇小島 一信¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、藤倉 序章²、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.（株）サイオクス)

キーワード：ODPL、GaN、炭素不純物