[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-9] ゲート絶縁膜除去後に作製したn-GaNショットキーダイオードのDLTS、MCTS測定

〇原田 彩花¹、田村 和也²、小島 永遠²、古郡 由希斗²、吉田 光²、徳田 豊²、大川 峰司¹、富田 英幹¹ (1.トヨタ自動車（株）、2.愛知工大)

キーワード：DLTS、MCTS、GaN

n-GaN上にP-CVD法とALD法により堆積させたSiO₂とのn-GaN界面の界面準位密度について、DLTS法を用いて評価し、ALD堆積SiO₂/n-GaN界面準位密度が低密度である事とフォーミングガスアニールの効果について報告した。今回はSiO₂膜を除去して作製したショットキーダイオードを用いて、n-GaNのバルクトラップについて評価を行ったので報告する。その結果、P-CVD膜除去試料では深い準位の電子トラップの導入が示唆された。正孔トラップの評価から、ALD, P-CVD膜除去試料とも250K付近をピークに持つブロードな信号が観測された。信号強度はALD SiO₂膜除去試料の方が大きく、その原因について検討している。