[14a-B410-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[14a-B410-1] AlGaN高波長選択型紫外光検出器の開発

〇田邉 匡生¹、奥村 貴大¹、田中 瑞樹¹、鳥羽 隆一²、大橋 隆宏²、小山 裕¹ (1.東北大院工、2.東北大院環境)

キーワード：深紫外光、光検出器、AlGaN

作製したAlGaN紫外光検出器デバイスの波長応答度を測定した。ゼロバイア電圧時の波長応答度に狭帯域の感度ピークを260nmに確認できた。Siドーピング濃度によって波長応答度は変化し、波長選択比(波長応答度@260 nm/630 nm)は世界最高水準の3.4×10⁵を得た。