[14a-B410-1~10] 3.13 半導体光デバイス

△ [14a-B410-6] SiC基板上1.3 µm帯分布反射型メンブレンレーザの小信号応答の解析

〇山岡 優¹、中尾 亮¹、藤井 拓郎¹、武田 浩司¹、開 達郎¹、西 英隆¹、Diamantopoulos Nikolaos-Panteleimon¹、硴塚 孝明¹、土澤 泰¹、松尾 慎治¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：直接変調レーザ、メンブレンレーザ、SiC

これまでに我々は、低屈折率・高放熱SiC基板上に1.3 µm帯分布反射型メンブレンレーザを作製し、高い光閉じ込め・放熱効果により、約40 GHzの緩和振動周波数と約60 GHzの3dB帯域を実証した。しかしながら、帯域律速要因であるダンピング効果の帯域への寄与は明らかにできていない。そこで本報告では、異なる光子寿命を有するレーザの小信号応答の解析からダンピング効果の帯域への寄与を定量化し、更なる帯域向上の可能性について考察する。