[14a-B410-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[14a-B410-8] 組成混晶化量子ドットLDの注入イオンの違いによる温度特性の比較

〇松本 敦¹、赤羽 浩一¹、伊澤 昌平²、金子 瑠那²、松島 裕一²、宇高 勝之² (1.情通機構、2.早大理工)

キーワード：量子ドット、組成混晶化、レーザ

これまでイオン注入を用いたQD組成混晶化（IID-QDI）技術により、再成長不要なQDモノリシックPICを実証してきた。BイオンはArに比べより大きなバンドギャップの変化・制御が可能である一方、ArによるIID-QDIを実施したウェハは非常に温度特性に優れたLDに応用出来ることも実証してきた。今回、新たにBによるIID-QDIを実施したLDを作製し評価した結果、特性向上が出来たので報告する。