[14a-PA5-1~23] 13.9 Compound solar cells

[14a-PA5-13] Sulfurization temperature dependence of Na content in Cu₂SnS₃ thin-films prepared by sulfurization of Sn/Cu/NaF stacked precursors

〇Youko Hosokawa¹, Kanata Watanabe¹, Ryota Ohashi¹, Shogo Otsuka¹, Kazuo Jimbo¹, Kunihiko Tanaka², Yoji Akaki³, Toshiyuki Yamaguchi⁴, Shigeyuki Nakamura⁵, Satoru Seto⁶, Hideaki Araki¹ (1.NIT Nagaoka, 2.Nagaoka Univ. Tech, 3.NIT Miyakonojo, 4.NIT Wakayama, 5.NIT Tsuyama, 6.NIT Ishikawa)

Keywords:Cu2SnS3, Thin films, solar cells

希少元素や有毒元素であるInやSeを含まないCu2SnS3 薄膜太陽電池に着目した。SiO2
上に成膜したSn/Cu/NaFプリカーサを硫化することでCTS薄膜を作製し，得られたSiO2
基板上のMo/CTS薄膜を酸で溶解し，誘導結合プラズマ(ICP)発光分光分析装置を用い
てNa, Cu, Sn, S組成を測定し，CTS薄膜中のNa含有量の硫化温度に対する変化につい
て調べた。SiO2基板上のMo/CTS薄膜中に含まれるNaの量は，硫化温度に対して顕著な
依存性は示さず，1.2~2.1 at.%程度を含有していることがわかった。