[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

△ [14p-A303-3] エピタキシャルHfO₂基膜を用いた直方晶相安定化の調査

〇(D)三村 和仙¹、清水 荘雄¹、舟窪 浩¹ (1.東京工業大学)

キーワード：ハフニア、HfO2基強誘電体、強誘電体薄膜

近年報告されたHfO₂基強誘電体はその高いCMOS適合性と極薄膜でも安定して強誘電性を得られることから極薄膜強誘電体デバイスの作製に有望な材料として注目を集めている。HfO₂基強誘電体の強誘電性の起源は直方晶相（Pca2₁）であり、HfO₂の圧力-温度状態図にはない相であることが明らかとなっている。それゆえ、その直方晶相の安定化要因の調査が必須とされている。本研究では、エピタキシャル膜を用いて直方晶相の様々な安定化要因について調査したのでそれについて報告する。