2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14p-A305-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年3月14日(土) 13:45 〜 17:30 A305 (6-305)

池上 浩(九大)、曽根 正人(東工大)

13:45 〜 14:00

[14p-A305-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Arイオン照射窒化ガリウム表面の塩素吸着層のイオンエネルギー依存性 (2)

長谷川 将希1、堤 隆嘉1、谷出 敦1,2、近藤 博基1、関根 誠1、石川 健治1、堀 勝1 (1.名大、2.SCREENホールディングス)

キーワード:窒化ガリウム、原子層エッチング