2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[14p-A305-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年3月14日(土) 13:45 〜 17:30 A305 (6-305)

池上 浩(九大)、曽根 正人(東工大)

14:30 〜 14:45

[14p-A305-4] 水素プラズマによる固体SiからのオンサイトSi2H6生成

〇(M2)浜中 恵一1、谷口 大介1、垣内 弘章1、安武 潔1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)

キーワード:プラズマ、ジシラン、シリコン

本研究では、固体Siと水素プラズマの反応により、SiH4に比べ高付加価値なSi2H6のオンサイト生成を狙い、種々のプロセス条件を変化させた際のSi2H6生成挙動を調査するとともに、ボンベ供給されるSiH4をプラズマ中で処理した際のSi2H6生成挙動との比較により、本手法におけるSi2H6生成機構を検討した。その結果、固体Si表面上での反応がSi2H6の生成に大きく寄与することを示唆する結果を得た。