[14p-A404-10~19] 17.3 層状物質

[14p-A404-12] 分子線エピタキシー法によるCrドープNbSe₂エピタキシャル薄膜の作製と輸送特性の評価

〇(M2)真島 裕貴¹、松岡 秀樹¹、中野 匡規^1,2、Saika Bruno Kenichi¹、吉田 訓¹、石坂 香子^1,2、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：二次元物質、遷移金属カルコゲナイド、分子線エピタキシー法

近年遷移金属カルコゲナイドの多彩な物性と機能が注目を集めている。最近、分子線エピタキシー法を用いてNbSe₂にCrをドーピングすると、層間にCrが規則的に配列したインターカレーション相が形成され、母物質のNbSe₂とは大きく異なる輸送特性を示すことを見出した。本発表では薄膜合成手法を紹介し、得られた試料の構造や物性について議論する。