[14p-A407-1~12] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[14p-A407-4] 多孔質ガラス含浸法により作製したCu含有シリカガラス中に生じる放射線誘起欠陥

〇高田 雄矢¹、木野村 淳²、齋藤 毅²、岡田 有史¹、若杉 隆¹、角野 広平¹ (1.京工繊大、2.京大複合研)

キーワード：ラジオフォトルミネッセンス、シリカガラス、線量計

ガラスに放射線が照射されるとガラス内の金属イオンの価数が変化し，新たな発光中心が形成される．この発光中心による蛍光現象はラジオフォトルミネッセンス（RPL）と呼ばれる．本発表では多孔質シリカガラスから作製したCu含有シリカガラス（Cu-SG）中に生じる放射線誘起欠陥について報告する．Cu-SGにX線を照射するとホウ素酸素ホールセンターが形成され，正孔中心の安定化に寄与していると考えられる．