[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-9] InAlN/GaNヘテロ構造におけるキャリア輸送特性のAlNスペーサ層膜厚依存性

〇木村 安希¹、星井 拓也¹、宮野 清孝²、布上 真也³、名古 肇³、水島 一郎^1,2、依田 孝^1,2、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.ニューフレアテクノロジー、3.東芝)

キーワード：InAlN/GaN、AlNスペーサ層、2DEG