[14p-PA1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス

[14p-PA1-3] Co₂MnGaエピタキシャル薄膜における異方性磁気抵抗効果の電流方向による符号変化

〇佐藤 岳¹、古門 聡士²、辻川 雅人³、小川 智之³、小坂 悟¹、白井 正文³、角田 匡清³ (1.豊田中研、2.静岡大、3.東北大)

キーワード：Co2MnGa、ホイスラー合金、異方性磁気抵抗効果

Co₂MnGaエピタキシャル薄膜においてAMR効果の電流方向による符号変化を検討した。AMR比は電流方向によって符号が変化し、Co含有量50 at%付近で極大となった。これらの変化は、第一原理計算および結晶場を考慮したs-d散乱に基づいた理論式から算出したAMR比とよく一致した。すなわちCo₂MnGa膜のAMR効果は、フェルミ準位上での結晶場分裂したd軌道の状態密度に依存していると考えられる。