[14p-PA1-1~74] 10 スピントロニクス・マグネティクス

[14p-PA1-42] (001)配向FeAlSi電極を用いたMTJ素子の作製

〇(M1)赤松 昇馬¹、大兼 幹彦¹、角田 匡清¹、安藤 康夫¹ (1.東北大院工)

キーワード：スピントロニクス、MTJセンサー、センダスト

強磁性トンネル接合(MTJ)磁気センサの高感度化のために、高トンネル磁気抵抗(TMR)比と軟磁気特性とを両立するフリー層材料が求められている。本研究では、 ₃規則構造において軟磁気特性を示す FeAlSiに着目した。B2以上の規則構造を有する、(001)配向膜の作製に成功し、また室温下においてTMR効果の観測に成功したことで、FeAlSi薄膜によるMTJセンサ高感度化の可能性が示された。