[14p-PB2-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[14p-PB2-6] 電流注入と光励起を用いたUV-LED内の欠陥準位の検出

〇白井 草汰¹、千代田 夏樹¹、鎌田 憲彦¹、糸数 雄吏^1,2、山初 駿太^1,2、平山 秀樹² (1.埼玉大学院理工、2.理研)

キーワード：LED、欠陥

我々は電流注入したUV-LEDにBelow-Gap Excitation（BGE）光を照射し、エレクトロルミネッセンス強度変化（I_N）及び電流変化（Δi）の観測から非発光再結合準位を検出してきた。本研究では、電流注入とバンド間励起（Above-Gap Excitation）光照射下でのΔiに着目し、その発生源の解明を試みた。その結果、ΔiはBGE光の依存性が強い一方で、AGE光の依存性は見られなかった。これより、Δiは発光層以外の層に存在する欠陥に起因する可能性が高いと考えられる。この手法を応用することで電流注入条件での欠陥検出が期待できる。