[15a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-A201-2] 4H-SiC PiNダイオードにおける異なる起点から拡張した積層欠陥の部分転位解析

〇西尾 譲司¹、岡田 葵¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.（株）東芝)

キーワード：単一ショックレー積層欠陥、部分転位、バーガーズベクトル

同じ三角形状であるものの、拡張開始電流密度が大きく異なる単一ショックレー積層欠陥について部分転位の解析を行い、構造の違いを明確化し、順方向劣化現象の理解を深めた。